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3D V-NANDによって給電120ギガバイトSAMSUNG850 EVOシリーズSATA6GbpsのSSDソリッドステートディスク2.5インチ モデルMZ-75E120

価格: ¥16,994
カテゴリ: Personal Computers
ブランド: Samsung
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どのような3DのV-NANDであり、それはどのように既存の技術の違いは? サムスンのユニークで革新的な3DのV-NANDフラッシュメモリアーキテクチャは、今日の従来の平面NANDアーキテクチャの密度制限、性能と耐久性を克服する画期的な製品です。 3D V-NANDは、垂直方向に1つの上に32細胞層を積層し、別のではなく、細胞の大きさを減少させ、高密度化、小型フットプリントを活用し、より良い性能が得られ、固定水平方向のスペースに自分自身に合うようにしようとして製造されます。
SATA6Gb /秒の接続で120ギガバイトサムスン850 EVO2.5インチSSD。 V-NAND技術、TurboWriteを含むと読み、520メガバイト/秒の書き込み速度540メガバイト/秒まで高速化高速連射強化された機能がたくさん。 AES 256ビットの暗号化と5年間の保証付き。 無類の読み出し/書き込み速度のためTurboWrite技術で毎日のコンピューティングを最適化 サムスンのTurboWrite技術を使用して、日常のコンピューティング体験を最大限にする究極のリード/ライト性能を実現。あなただけだけでなく**250分の120 GBモデル用*しかし1.9倍まで高速化、ランダム書き込み速度を840 EVO10%より優れたユーザーエクスペリエンス以上を取得できません。 850EVOはシーケンシャルリード(540メガバイト/秒)とwrite(520メガバイト/秒)の速度で、そのクラスの性能の上部を提供しています。さらに、あなたはまた、クライアントPCの使用シナリオのためのすべてのQDに最適化されたランダムなパフォーマンスを得ることができます。
改良されたRAPIDモードと高速車線に入ります 2倍高速にデータ処理のための迅速なモードを提供するサムスンのマジシャンソフトウェアは、キャッシュストレージとして使用されていないPCメモリ(DRAM)を利用してシステムレベルで*高速化します。 DRAMの16ギガバイトを実装する際に、最新の魔術師は、850 EVOで最大4 GBに、以前の840 EVOバージョンでは、1ギガバイトからの迅速なモードでの最大メモリ使用量を増加させました。また、すべてのランダムなキューの深さの2倍の性能*ブーストを取得します。
高度なAES256暗号化を介して貴重なデータを保護 850 EVOは、最新のハードウェアベースのフルディスク暗号化エンジンで強化されています。 AES256暗号化ビットのセキュリティ技術は、任意のパフォーマンスを低下させることなくデータを保護し、TCGオパール2.0に準拠しています。あなたのデータはあなたの心の平和のためにすべての回で保護されているので、それはまた、Microsoftの電子ドライブIEEE1667に対応しています。
応答性の高い動的熱Guardでの過熱から保護 850 EVOの動的熱ガードを常に監視し、ドライブがデータの整合性のための最適な条件で動作するための理想的な温度を維持します。温度が最適なしきい値を超えて上昇すると、サーマルガードは、自動的にコンピュータを確保するための応答性を維持することは、常に過熱から安全である間、あなたのデータを保護する温度をダウン絞ります。
キャパ120ギガバイト インタフェース型SATA III6Gb /秒 フォームファクタ2.5インチのフォームファクタ デバイスタイプSSDソリッドステートディスク データ転送速度シーケンシャルリード速度:540メガバイト/ sまで シーケンシャル書き込み速度:520メガバイト/ sまで 4キロバイトランダムリード:94,000 IOPS 4キロバイトランダムライト:88,000 IOPS FLASH STORAGE詳細サムスン32層3D V-NAND、サムスンMGXコントローラ 外形寸法100×69.85 X6.8(mm)の 体重66グラム 動作温度動作温度:0°C - 70°C 非動作時温度:-40°C - 84°C MTBF150万時間 SPECIAL FEATURESはAES 256ビットのフルディスク暗号化(FDE) TCG/オパールv2.0の、暗号化されたドライブ(IEEE1667) 包装小売包装 保証5年限定メーカー保証